Тайминги (оперативная память) — Википедия. Латентность (в т. CAS Latency, CL; жарг. Эти временны. От них в значительной степени зависит пропускная способность участка «процессор- память» и задержки чтения данных из памяти и, как следствие, быстродействие системы.

Мера таймингов — такт шины. Таким образом, каждая цифра в формуле 2- 2- 2 означает задержку сигнала для обработки, измеряемая в тактах шины памяти. Если указывается только одна цифра (например, CL2), то подразумевается только первый параметр, то есть CAS Latency. Иногда формула таймингов для памяти может состоять из четырёх цифр, например 2- 2- 2- 6.

Хотите стать модератором в форуме "Модули памяти"? Ждем вашей заявки! 15:09, Внешний накопитель . Просьба к владельцам 1000й памяти на микроне :). ЗЫ: Пока в базе только spd для Corsair DDR2 667, но надеюсь база будет быстро . Небольшая печатная плата, на которой размещены микросхемы запоминающего. Информация о параметрах микросхем модуля памяти записывается в SPD — Serial presence detect (англ.)русск. Оперативная память. Латентность (в т.ч. CAS Latency, CL; жарг. На планке памяти информация хранится в чипе SPD (англ.) .

Последний параметр называется «DRAM Cycle Time Tras/Trc» и характеризует быстродействие всей микросхемы памяти. Он определяет отношение интервала, в течение которого строка открыта для переноса данных (t.

RAS — RAS Active time), к периоду, в течение которого завершается полный цикл открытия и обновления ряда (t. RC — Row Cycle time), также называемого циклом банка (Bank Cycle Time). Производители обычно снабжают свои чипы, на основе которых построена планка памяти, информацией о рекомендуемых значениях таймингов, для наиболее распространенных частот системной шины. На планке памяти информация хранится в чипе SPD (англ.)русск. Просмотреть эту информацию можно программным образом, например, программой CPU- Z. С точки зрения пользователя, информация о таймингах позволяет примерно оценить производительность оперативной памяти, до её покупки. Таймингам памяти поколений DDR и DDR2 придавалось большое значение, поскольку кэш процессора был относительно мал и программы часто обращались к памяти.

Таймингам памяти поколения DDR3 уделяется меньше внимания, поскольку современные процессоры (например AMD Bulldozer, Trinity и Intel Core i. L2- кэши и снабжены огромным L3- кэшем, что позволяет этим процессорам гораздо реже обращаться к памяти, а в некоторых случаях программа и её данные целиком помещается в кэш процессора (см. Иерархия памяти). Имя параметра. Обозначение. Определение. CAS- латентность. CLЗадержка между отправкой в память адреса столбца и началом передачи данных.

Время, требуемое на чтение первого бита из памяти, когда нужная строка уже открыта. Row Address to Column Address Delay. TRCDЧисло тактов между открытием строки и доступом к столбцам в ней. Время, требуемое на чтение первого бита из памяти без активной строки — TRCD + CL.

Модификация прошивки SPD модулей оперативной памяти Kingston HyperX Fury Red HX318C10FRK2/16. Редакция 1.0 от 15.10.2014. Цель материала. G.Skill анонсировала 32 ГБ комплект оперативной памяти Trident Z RGB. Программой Thaiphoon Burner прочитал SPD с той планки. Память 2 гб G.SKILL DDR3 с радиаторами, поэтому SPD выпаять не могу. Поиск SPD и перепрошивка SPD модулей оперативной памяти, Crash, 9/13/15 7:11 AM. ОГЛАВЛЕНИЕ 1. Программные средства чтения и перезаписи . Модули оперативной памяти имеют встроенную микросхему SPD (Serial Presence Detect). Микросхема SPD – это специальная микросхема, в которой .

Row Precharge Time. TRPЧисло тактов между командой на предварительный заряд банка (закрытие строки) и открытием следующей строки. Время, требуемое на чтение первого бита из памяти, когда активна другая строка — TRP + TRCD + CL. Row Active Time. TRASЧисло тактов между командой на открытие банка и командой на предварительный заряд. Время на обновление строки.

Накладывается на TRCD. Обычно примерно равно сумме трёх предыдущих чисел.

Примечания: RAS : Row Address Strobe. Схему Вышивки Чашка Кофе. CAS : Column Address Strobe.

TWR : Write Recovery Time, время, между последней командой на запись и предзарядом. Обычно TRAS = TRCD + TWR.

TRC : Row Cycle Time. TRC = TRAS + TRP.

CAS- латентность (от англ. Модули DDR SDRAM могут иметь задержку CAS, равную 2 или 2. На модулях памяти обозначается как CAS или CL. Пометка CAS2, CAS- 2, CAS=2, CL2, CL- 2 или CL=2 обозначает величину задержки, равную 2.

Примерные данные CAS- латентности памяти. Поколение. Тип. Скорость передачи данных(мегатранзакций в секунду)Время передачи бита. Скорость выдачи команд. Длительность цикла. CL1- е слово. 4- е слово. SDRAMPC1. 00. 10. MT/s 1. 0 ns. 10.

MHz 1. 0 ns. 22. 0 ns. PC1. 33. 13. 3 MT/s 7. MHz 7. 5 ns. 32. 2.

DDR SDRAMDDR- 3. 33. MT/s 3 ns. 16. 6 MHz 6 ns. DDR- 4. 00. 40. 0 MT/s 2. MHz 5 ns. 31. 5 ns. DDR2 SDRAMDDR2- 6.

MT/s. 1. 5 ns. 33. MHz 3 ns. 51. 5 ns. DDR2- 8. 00. 80. 0 MT/s 1.

MHz 2. 5 ns. 61. 5 ns. DDR2- 1. 06. 61. 06. MT/s 0. 9. 5 ns. 53.

MHz 1. 9 ns. 71. 3. DDR3 SDRAMDDR3- 1. MT/s 0. 9. 37. 5 ns. MHz 1. 8. 75 ns. 71. DDR3- 1. 33. 31. 33. MT/s 0. 7. 5 ns. 66.

MHz 1. 5 ns. 91. 3. DDR3- 1. 37. 51. 37.

MT/s 0. 7. 3 ns. 68. MHz 1. 5 ns. 5 7. DDR3- 1. 60. 01. 60. MT/s 0. 6. 25 ns. MHz 1. 2. 5 ns. 91. DDR3- 2. 00. 02. 00.

MT/s 0. 5 ns. 10. MHz 1 ns. 10. 10 ns. Большая Разница Белое Солнце Пустыни тут.

Эта статья или раздел содержит незавершённый перевод с английского языка. Вы можете помочь проекту, закончив перевод.

Оперативная Память И Методы Ее Ремонта - Самодельные устройства к компьютеру. Сорри за некропостинг, нашлась тема злым . Рентабельность. Ясен болт что продать паяные планки практически нереально, если только кому- то поставить при ремонте. Но кто говорит про деньги? Разве не приятно иметь халявные 2. Мб оперативы (а то и больше - см. Устарелость\раритеность\прочий тому подобный бред.

Неужто все такие пафосные и сидят на core i. Открою секрет для таких: люди некоторые работают ещё и на Р- 3, и чувствуют себя хорошо. А в производстве ещё вовсю используются встраиваемые системы даже на 8. И там все тоже чувствуют себя хорошо. Наблюдал медицинские лабораторные анализаторы (кровь\мочу гоняют, анализы так сказать) с проприетарной мат. Аппарат успешно исполняет свою функцию, и не плачет совсем, как и работающий за ним персонал.

И данные на дискетке таскают на НР Vectra P- 3 чтоб обработать и распечатать. И всё четко (с). Грамотно нужно использовать ресурсы системы и выбирать систему соответственно потребностям, и будет вам счастье. Современные системы актуальны только для игр, даже для 3. D нужны немного иные конфиги, отличные от . Но нет ничего бездарнее чем прос*рать время на игрушки.

Технология восстановления планок проста до смеху. Диагностика. Если планка имеет выгоревший контакт, тогда это донор (пробовал восстановить сам контакт - не получилось). Берем распиновку (SDRAM модуля или DDR- x - смотря что за планка) и смотрим что это была за нога. Исходя из этого можно сделать вывод о том сколько микросхем могло пострадать и какие. Как правило бьется один чип, самый ближний к . Реже несколько\банк\сторона\сразу все.

Если контакты целы, комп с планкой не стартует, и есть жертвенная мать, которую не жаль убить на благое дело - тупо втыкаем ей говнопроц, надежное и терпеливое питание, включаем, и методом пальпации выясняем какой из чипов нагрелся больше остальных. С вероятностью 8. Ежели старт с планкой есть, тогда дискетка\флешка и memtest (он кстати есть в семёрке в районе папки Boot если память мне не изменила). По адресам ошибки тоже можно выявить труп, особенно если ошибка не . Чаще всего страдают керамические конденсаторы с краев планки. Одного сбитого или сколотого достаточно для невиденья памяти и иногда даже для невключения мат. DDR, SDRAM иногда таки видятся, но мемтест говорит что дело беда.

Технология пайки. Паять конечно лучше воздухом, если корпуса ногастые (TSOP и подобные) то можно и ЭПСНом, но если нет заземления жала, то на момент самой пайки ВЫНИМАТЬ ВИЛКУ ОБЯЗАТЕЛЬНО, боязнь статических разрядов для большинства микросхем преувеличивается до уровня паранойи, но это не об оперативной памяти - она от статики мрёт, и легко, и от наведенки на жало от нагревателя (я молчу про слюдяные нагреватели, у которых иногда со временем на корпусе паяльника и фаза начинает обнаруживаться). При пайке внимательнейше нужно смотреть на то, где у микросхемы ключ, а также обращать внимание на маркировку - особенно для SDRAM и старше. Не все чипы могут быть одинаковыми, особенно в случае ЕСС и регистровой памяти. Также есть чипы с . Это встречается в основном в . Потому что потом оный флюс необходимо ПОЛНОСТЬЮ СМЫТЬ, даже канифоль.

Ибо на модулях памяти каждая дорожка выверена по длине, импедансу, и емкости монтажа (ну или по крайней мере должна по спецификациям). Флюс как минимум изменяет емкость всей этой ботвы. Так вот засратый канифолью модуль памяти может не завестись, зато мило стартовать после тщательной промывки. Перегрева микросхемы памяти боятся панически, особенно BGA (перевернутый кристалл же, со всеми вытекающими). Об SPDПисано- переписано. Стоит забыть о попытках включить со старым (при . Начиная с SDRAM PC- 1.

SPD обязательно, а по спецификации DDR планка вообще не определится без него. Так что собирать программатор и модифицировать. Без него прокатывает только РC- 6.

РС- 1. 00, не с каждой планкой и не с каждым чипсетом. Особенно если изменялся объем модуля или организация памяти. Благо ничего в нём сложного нет, его содержимое досконально описывается в англоязычной википедии, желающие углубиться могут сгуглить и стандарты - они в сети есть.

На модулях SIMM 7. SPD - 4 перемычки, иногда они соединялись прямо дорожкой, но с возможностью разрезать или капнуть припой, иногда нулевыми SMD резисторами. По ним определяется не помню что, но вроде даже тип памяти EDO\FPM. Хотя скорее всего банки\объем, и\или переназначение определенных выводов модуля в зависимости от объема. Могу брехать - давно было дело. Об тонкостях. Про банки, стороны, организацию памяти писать смысла нет, гуглим стандарты, они в сети есть.

Только английский, но оно того стоит, куча вопросов отваливается сразу, некоторые пункты по списку фигни, которую планировалось напороть паяльником - тоже. Узнать о модуле всё и даже больше очень легко если найдётся даташит на конкретную микросхему памяти. Далее посчитав количество чипов выясняется все остальное, включая объем модуля. Там- же часто можно почитать номиналы резисторов и конденсаторов кроме блокировочных и . А в даташитах на модули памяти (особенно много их в сети от Самсунга, на сайте Micron (MT) тоже что- то было, Hynix и Hyundai туда- же) можно часто даже схему лицезреть, немного упрощенную, но дающую более чем полное представление о сабже. Любителям наращивания памяти запайкой второй стороны.

Во первых не каждой планке можно распаивать вторую сторону - см. Руководство По Ремонту, Эксплуатации Автобус Нефаз подробнее. Некоторые производители используют универсальные (абсолютно или до определенного предела) платы, но распаиваемая single- sided конфигурация не всегда позволяет что- то добавить.

Нелишне будет отзвонить пустые места на контакты модуля - см выше про . Количество банков, их объем.

Во вторых разрушу миф об ! Распайка, объем, организация, тайминги были полностью идентичны. Ещё помимо SPD на . Делается это для того чтобы переназначить некоторые соединения для разных вариантов микросхем. При увеличении объема или пересадке микр с поврежденного модуля стоит учесть это и вызвонить что с чего они перекидывают, в идеале на пустой (без микросхем памяти) плате во избежании искажения показаний. Любителям четности можно вкатить 9й (5й) чип на сторону, замутить ЕСС без регистра. Некоторые материнки поддерживают, некоторые модули имеют под это пустое место в середине обеих сторон.

Некоторые даже по два места - наблюдал на SIMM 7. Правка SPD обязательна.

Треш, угар, и содомия. Модули с выгоревшими . Для тестов надо найти барахляную материнку с разъемами не из стеклопластика. Такие плавятся паяльником.